时时，历练导电膜层导电性能选择的主义是方块电阻，用R□（或Rs）示意。R□与导电膜层的电阻率及膜层的厚度关系。下图中色五月，d为膜厚

 

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方形导电膜层的电阻为：R = ρ L1/(dL2)色五月

式中，ρ为导电膜的电阻率。关于制定的膜层，ρ和d不错合计是不变的定值，当L1 = L2时，即为正方形的膜层，不论方块大小如何，其电阻均为定值R = ρ/d，这即是方块电阻的界说。即

R□ = ρ/d

式中，R□单元为：欧姆/□、Ω/□、ohm/sq。

举例，当ITO层电阻率 ρ = 5×10-4 Ω·cm，ITO层厚度为500 Å，则方块电阻为：

R□ = ρ/d = 5×10-4 Ω·cm / 500×10-8 cm = 100 Ω/□

现在，ITO膜层的电阻率一般在5×10-4 Ω·cm摆布，最佳的可达到5×10-5 Ω·cm，如故接近金属的电阻率。

真实 勾引

电阻率的倒数为电导率色五月，σ=1/ρ，在海外单元制中，电导率的单元是西门子/米。电导率越大则导电性能越强，反之越小。

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